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项目状态：***
| 采购项目编号 | NARI-BDT-NV11-****01 | 采购项目名称 | 1200V40mΩ研发批流片采购 |
| 采购类型 | 物资 | 招标文件购买截止时间 | ****-**-** 00:***:*** |
| 开标（截标）时间 | ****-**-** 00:***:*** | 开标地点 | |
| 招标文件费用支付方式 | 招标人 | ******限公司 | |
| 招标代理机构 | 招标代理机构地址 | ||
| 招标代理机构邮编 | 联系人 | ||
| 联系电话 | 传真 | ||
| 电子邮箱 | 项目介绍 | ||
| 公告文件 | 下载公告文件 | ||
| 购买招标文件 | |||
信息来源：***://sgccetp.****.cn/portal/#/doc/doci-bid/********_********_********
以下内容来自于附件，仅供参考。
采购公告
******限公司 SiC MOS流片采购项目
1.采购条件
项目建设单位 ******限公司 或其所属单位（以下简称“项目单位”），建设资金为企业自有资金，采购人 ******限公司 。项目已具备采购条件，现对该项目进行采购。
2.采购范围
2.1采购清单
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 单位 | 技术要求 | 备注 |
| 1 | SIC流片,M120040Z3 | 25 | 片 | 详见技术规范书 | / |
2.2合同包个数1个
2.3交付时间及地点：***、交付；具体地点按买方合同指定地点。
应答人资格要求
1．本次采购要求应答人须为中华人民共和国境内依法注册的法人或其他组织，并在人员、设备、资金等方面具有承担采购项目的能力。
2．具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；
3．法定代表人或单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标包应答或者未划分标包的同一采购项目应答；
4．应答截止日前，与采购人不存在尚未了结的诉讼案件；
5．不接受联合体应答；
4.采购文件的获取
4.1采购文件（电子文件）免费获取，请贵公司收到信息后在获取文件时间节点之前登录系统并获取采购文件。
4.2未按照上述要求获取采购文件的应答，采购人将不予受理。
5.首次应答文件的递交
5.1首次应答截止时间：***。首次应答文件递交（提交）的截止时间同首次应答截止时间。
6.备注：***仍可继续谈判，直接转为单一来源方式继续完成采购。
7.联系方式
采购人 ******限公司
地址：***
联系人：***
电话：***-****
电子邮件：********* sgcc.****.cn
附件：
技术规范书
技术需求：
1.1材料
| 产品类别 | 材料类型 | 材料规格 |
| SiC MOSFET产品系列 | 4H-SiC | 6英寸碳化硅衬底+外延 |
项目交付物
SiC MOS晶圆。
质保、培训及售后服务
供应商根据采购方提出的技术要求，完成全部样品服务，且样品必须通过采购方测试验收后方算合格。在质量体系方面，采用严格的汽车管理体系IATF16949标准，对过程和结果进行管控，具体说明如下表。
| Requirements | 体系要求Quality System *（IATF16949/VDA6.3等） | IATF16949/VDA6.3 |
| 过程能力要求 Process Capability Requirement | PPK≥1.67 | |
| 数据存储要求Data Storage Requirement | 5year＜≤t≤15year | |
| 质量管控等级Quality Control Level | Automo level | |
| FECP/PCN要求FECP/PCN Requirement | ≥ 6 months |
知识产权及保密要求
1、本项目实施过程中，由采购方提供的设计、工艺流程和工艺条件分片细节、光刻版数据的知识产权，归采购方所有。
2、本项目实施过程中，所产生的工艺数据和最终芯片的CP测试数据的知识产权，归双方共有。
3、供应商及其项目参与人员对技术开发过程中所接触到的采购方的技术信息、商业秘密等尚未公开的有关信息、资料及研究所涉成果负有保密义务。未经采购方书面同意，供应商及其项目参与人员不得将上述信息、资料及研究所涉成果披露给任何第三方或用于本项目以外的其他目的。
4、未经一方书面同意，另一方及其项目参与人员不得将双方共有的包括但不限于数据资料在内的保密信息披露给任何第三方或用于本项目以外的其他目的。
5、本项目下的保密义务自相关资料或信息以及研究所涉成果正式向社会公开之日或采购方书面解除供应商本项目下保密义务之日起终止。
付款方式
以双方协商为准。
